[发明专利]用于生产固结的和纯化的材料的方法无效
申请号: | 200780015390.8 | 申请日: | 2007-04-30 |
公开(公告)号: | CN101432453A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 安杰尔·桑贾乔;罗凯洪;谢晓兵;阿努普·内格 | 申请(专利权)人: | SRI国际公司 |
主分类号: | C22B9/02 | 分类号: | C22B9/02;C22B34/12;C01B33/02;C01B33/037;C22B9/10 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;陈 红 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的方面包括用于生产纯化的半导体或金属材料(例如硅或钛)的方法。在一个实施方式中,所述方法包括将材料的颗粒组合物(例如,一种金属)与金属卤化物混合以生产金属-金属卤化物的混合物。然后在一个容器内加热所述混合物至高于该材料熔点的温度,在那个温度所述容器是化学稳定和物理稳定的。将熔融的混合物分成该材料下层及金属卤化物层,并冷却。然后将金属卤化物从该材料分离出来,并因此制得纯化的半导体或金属材料。还提供纯化材料晶体,其通过这些方法制得成形为锭和/或锥形、薄片、或带状,以及采用这些产品的硅芯片和太阳电池板。 | ||
搜索关键词: | 用于 生产 固结 纯化 材料 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种用于生产纯化的半导体或金属材料的方法,所述方法包括:(a)将材料的颗粒组合物与金属卤化物混合以制备材料-金属卤化物的混合物;(b)在一个容器内加热所述混合物至高于该材料熔点的温度,在所述温度所述容器是化学稳定和物理稳定的;(c)使得该混合物分成该材料层及金属卤化物层;(d)冷却该混合物;和(e)将金属卤化物与该材料分离,因此制得纯化的金属或半导体材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SRI国际公司,未经SRI国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780015390.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:成膜方法、成膜装置和存储介质
- 下一篇:直接熔炼设备