[发明专利]用于生产固结的和纯化的材料的方法无效

专利信息
申请号: 200780015390.8 申请日: 2007-04-30
公开(公告)号: CN101432453A 公开(公告)日: 2009-05-13
发明(设计)人: 安杰尔·桑贾乔;罗凯洪;谢晓兵;阿努普·内格 申请(专利权)人: SRI国际公司
主分类号: C22B9/02 分类号: C22B9/02;C22B34/12;C01B33/02;C01B33/037;C22B9/10
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 徐金国;陈 红
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的方面包括用于生产纯化的半导体或金属材料(例如硅或钛)的方法。在一个实施方式中,所述方法包括将材料的颗粒组合物(例如,一种金属)与金属卤化物混合以生产金属-金属卤化物的混合物。然后在一个容器内加热所述混合物至高于该材料熔点的温度,在那个温度所述容器是化学稳定和物理稳定的。将熔融的混合物分成该材料下层及金属卤化物层,并冷却。然后将金属卤化物从该材料分离出来,并因此制得纯化的半导体或金属材料。还提供纯化材料晶体,其通过这些方法制得成形为锭和/或锥形、薄片、或带状,以及采用这些产品的硅芯片和太阳电池板。
搜索关键词: 用于 生产 固结 纯化 材料 方法
【主权项】:
1. 一种用于生产纯化的半导体或金属材料的方法,所述方法包括:(a)将材料的颗粒组合物与金属卤化物混合以制备材料-金属卤化物的混合物;(b)在一个容器内加热所述混合物至高于该材料熔点的温度,在所述温度所述容器是化学稳定和物理稳定的;(c)使得该混合物分成该材料层及金属卤化物层;(d)冷却该混合物;和(e)将金属卤化物与该材料分离,因此制得纯化的金属或半导体材料。
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