[发明专利]缺陷分布图案的对照方法和装置无效
| 申请号： | 200780015403.1 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101432866A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 花田良幸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供缺陷分布图案的对照方法和装置。本发明的对照装置包括缺陷检查部(72)、基准图案存储部(74)、图案对照部(76)、对照结果处理部(78)、和输出部(80)。检查部(72)对由处理系统处理的半导体晶片等被处理体进行检测，得到在其表面产生的缺陷的分布图案。存储部(74)预先存储表示在处理系统中与被处理体接触或接近的特定部分的特征形状的基准图案。对照部(76)对由检查部(72)得到的缺陷的分布图案和存储在存储部(74)中的基准图案进行对照。对照结果处理部(78)基于对照部(76)的对照，求取两图案的一致度。输出部(80)将求得的一致度通过显示器(80A)等输出。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 分布 图案 对照 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种对照方法，其为对在由处理系统处理的被处理体的表面上产生的缺陷的分布图案进行对照的方法，其特征在于，包括：预先记录表示在所述处理系统中与被处理体接触或接近的特定部分的特征形状的基准图案的工序；对已由所述处理系统处理过的被处理体进行检查，获得在其表面产生的缺陷的分布图案的工序；对所述基准图案与所述缺陷的分布图案进行对照的工序；和根据所述对照，求取两图案的一致度的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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