[发明专利]用于形成自对准金属硅化物接触的方法

摘要

一种用于在通过暴露的电介质区彼此间隔开的至少两个含硅半导体区上形成自对准金属硅化物接触的方法。这样形成的每个自对准金属硅化物接触至少包括镍硅化物和铂硅化物并具有基本光滑的表面，暴露的电介质区基本没有金属和金属硅化物。镍或镍合金沉积之后接着进行低温退火、镍蚀刻、高温退火和王水蚀刻。

主权项

1. 一种用于在通过暴露的电介质区彼此间隔开的至少两个含硅半导体区上形成自对准金属硅化物接触的方法，所述方法包括：在所述含硅半导体区和所述暴露的电介质区上形成金属合金层，其中所述金属合金层包含镍和至少一种其他金属；在约150℃到约500℃范围的第一退火温度退火，其中所述金属合金层中包含的镍与所述半导体区中包含的硅反应，从而在所述半导体区上形成第一相的镍硅化物；利用第一蚀刻溶液选择性地蚀刻所述金属合金层，从而从所述半导体区之间的所述暴露的电介质区基本去除所有未反应的镍；在约300℃到约600℃范围的第二退火温度退火，其中所述第一相的镍硅化物进一步与所述半导体区中包含的硅反应，从而在所述半导体区上形成第二相的镍硅化物，其中所述第二相比所述第一相具有更低的电阻率；以及利用第二蚀刻溶液选择性地蚀刻所述金属合金层，从而从所述暴露的电介质区基本去除所有残留的未反应的金属，由此形成彼此电隔离的自对准金属硅化物接触。