[发明专利]用于半导体材料的化学机械抛光的组合物及方法无效
| 申请号： | 200780016044.1 | 申请日： | 2007-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101437918A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 斯里拉姆·安朱尔;杰弗里·戴萨德;保罗·菲尼;蒂莫西·约翰斯;理查德·詹金斯 | 申请（专利权）人： | 卡伯特微电子公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋 莉 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种适合用于抛光半导体材料的化学机械抛光(CMP)组合物。该组合物包含研磨剂、有机氨基化合物、酸性金属络合剂以及含水载体。本发明还公开一种利用该组合物来抛光半导体材料表面的CMP方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体材料 化学 机械抛光 组合 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含：(a)约0. 1～约15重量％的颗粒状研磨材料；(b)约10～约5000ppm的至少一种有机氨基化合物；(c)约10～约5000ppm的至少一种酸性金属络合剂；和(d)为此的含水载体；该组合物具有中性或碱性pH值。
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