[发明专利]CMOS晶体管栅极中的凹入功函数金属

摘要

晶体管栅极包括：衬底，表面上设置有一对间隔物；高k电介质，保形地沉积在所述间隔物之间的衬底上；凹入功函数金属，其在高k电介质上并沿着所述间隔物的侧壁的一部分保形地沉积；第二功函数金属，保形地沉积在凹入功函数金属上；以及电极金属，沉积在第二功函数金属上。所述晶体管栅极可以通过以下步骤形成：将高k电介质保形地沉积在衬底上的间隔物之间的沟槽中、在高k电介质上保形地沉积功函数金属、在功函数金属上沉积牺牲掩模、蚀刻所述牺牲掩模的一部分以暴露功函数金属的一部分、以及蚀刻功函数金属的暴露部分以形成凹入功函数金属。第二功函数金属和电极金属可沉积在凹入功函数金属上。

主权项

1、一种装置，包括：衬底；一对间隔物，设置在所述衬底的表面上；高k介电层，保形地沉积在所述一对间隔物之间的所述衬底的表面上和所述间隔物的侧壁上；凹入功函数金属层，沿着所述一对间隔物之间的所述衬底的表面并沿着所述间隔物的侧壁的一部分，保形地沉积在所述高k介电层上；第二功函数金属层，保形地沉积在所述凹入功函数金属层和所述一对间隔物上；以及电极金属层，沉积在所述第二功函数金属层上。