[发明专利]用于半导体工艺的腔衰荡光谱仪无效
| 申请号： | 200780017801.7 | 申请日： | 2007-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101454655A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | B·E·科尔;Y·古 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01N21/39 | 分类号： | G01N21/39;G01J3/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王小衡 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供用于测量半导体薄膜工艺中的气体的装置。该装置包括置于薄膜工艺环境内的光学谐振器，用于以该气体的特征频率激励谐振器的可调谐激光器和用于检测谐振器内能量的检测器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 工艺 腔衰荡 光谱仪 | ||
【主权项】：
1. 用于测量半导体薄膜工艺中的气体的装置，这种装置包括：置于薄膜工艺环境内的光学谐振器；以该气体的特征频率激励该光学谐振器的可调谐激光器；检测谐振器内能量的检测器。
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