[发明专利]压缩性氮化物膜及其制造方法无效
| 申请号： | 200780018340.5 | 申请日： | 2007-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101449364A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 梁大源;李佑炯;速泰祺;王允愈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;B05D3/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种通过高密度等离子体沉积工艺形成压应力氮化物膜的方法，该膜覆盖在衬底上制作的多个p型场效应晶体管栅极结构上。实施例包括使用至少硅烷、氩和氮气的源气体产生填充高密度等离子体的环境；偏置所述衬底到不同密度的高频率功率，其范围从0.8W/cm2到5.0W/cm2；并且沉积高密度等离子体到多个栅极结构，从而形成压应力氮化物膜。 | ||
| 搜索关键词： | 压缩性 氮化物 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在衬底(10)上的至少一个栅极结构(12)上方形成压缩性氮化物膜层(51)的方法，所述方法包括：使用至少硅烷、氩和氮气生成高密度等离子体；偏置所述衬底(10)到至少0.8W/cm2的高频率功率密度；及沉积所述高密度等离子体到所述栅极结构(12)的顶部上，形成所述压缩性氮化物膜层(51)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780018340.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：节目信息处理装置、数字播放接收系统和节目信息处理方法
- 下一篇：硅结晶化方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
