[发明专利]SONOS存储设备以及操作SONOS存储设备的方法无效
| 申请号： | 200780018343.9 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101449335A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·J·范杜里恩;罗伯特·T·F·范沙吉克;纳德·阿基尔 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储设备，以下称为SONOS存储设备，包括：SONOS存储单元，所述SONOS存储单元具有与具有氮化物层的SONOS叠层连接的控制栅极端子、源极端子以及漏极端子；以及编程单元，所述编程单元与漏极端子和控制栅极端子连接，并且将所述编程单元配置为：每当接收到寻址至所选择的SONOS存储单元的编程请求时，将预定的正漏极电压施加到所选择的SONOS存储单元的漏极端子以及将预定的负栅极电压施加到所选择的SONOS存储单元的控制栅极端子，漏极电压和栅极电压适于在栅极辅助的带间隧穿过程中在所选择的SONOS存储单元的漏极侧产生热空穴，以及适于将热空穴注入到所选择的SONOS存储单元的氮化物层中，从而将所选择的SONOS存储单元从高VT状态切换至低VT状态。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 存储 设备 以及 操作 方法 | ||
【主权项】：
1、一种对包括SONOS存储单元(100)的存储设备进行操作的方法，该方法包括对所选择的SONOS存储单元进行编程(804)的步骤，所述步骤包括：-提供(802)处于擦除状态的SONOS存储设备，其中所选择的SONOS存储单元处于高VT状态；以及-将预定的正漏极电压施加(804)到所选择的SONOS存储单元的漏极端子，以及将预定的负栅极电压施加到所选择的SONOS存储单元的控制栅极端子，漏极电压和栅极电压适于在栅极辅助的带间隧穿过程中在所选择的SONOS存储单元的漏极端子处产生热空穴，以及适于将热空穴注入到所选择的SONOS存储单元的氮化物层中，从而从高VT状态切换至低VT状态。
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