[发明专利]使用体半导体晶片形成改善的SOI衬底

摘要

本发明涉及具有一个或多个器件区域(2、4、6)的绝缘体上半导体(SOI)衬底。每个器件区域至少包括掩埋绝缘体层(14)位于其间的基础半导体衬底层(12)和半导体器件层(16)，同时通过一个或多个垂直绝缘柱(22)支撑所述半导体器件层(16)。优选地，每个所述垂直绝缘柱(22)具有在所述基础半导体衬底层(12)与所述半导体器件层(16)之间延伸的突出部。可以由前体衬底结构容易地形成本发明的SOI衬底，所述前体衬底具有“浮置”半导体器件层，所述“浮置”半导体器件层通过空气隙(15)与所述基础半导体衬底层分离并由一个或多个垂直绝缘柱(22)支撑。优选地，通过选择性地去除位于所述基础半导体衬底层(12)与所述半导体器件层(16)之间的牺牲层(13)来形成空气隙(15)。

主权项

1. 一种用于形成绝缘体上半导体(SOI)衬底(10)的方法，包括以下步骤：形成衬底结构，所述衬底结构至少包括牺牲层位于其间的基础半导体衬底层(12)和半导体器件层(16)；构图所述衬底结构以形成由一个或多个隔离沟槽(30)限定的一个或多个器件区域(2、4、6)，其中每一个器件区域(2、4、6)包括牺牲层(13)位于其间的基础半导体衬底层(12)和半导体器件层(16)；形成一个或多个绝缘体带(19A)，所述一个或多个绝缘体带(19A)每一个都至少具有在所述隔离沟槽(30)中的一个的侧壁上的垂直部分和在所述器件区域(2、4、6)中的一个的上表面上的水平部分；从每一个器件区域选择性地去除所述牺牲层(13)以在所述基础半导体衬底层(12)与所述半导体器件层(16)之间形成空气隙(15)，其中所述一个或多个绝缘体带(19A)的所述垂直部分形成垂直绝缘体柱(22)以支撑所述半导体器件层(16)；以及使用绝缘体材料填充每一个器件区域(16)中的所述空气隙(15)以在所述基础半导体衬底层(12)与所述半导体器件层(16)之间形成掩埋绝缘体层14。