[发明专利]用于光刻胶的剥离剂组合物有效
| 申请号： | 200780019163.2 | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101454872A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 韩熙;朴珉春;金璟晙;徐圣佑;权赫俊;安庆昊;崔棅圭;闵盛晙;黄智泳 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱 梅;黄丽娟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光刻胶剥离剂组合物。在剥离工艺和剥离光刻剂的已知步骤中，该光刻胶剥离剂组合物能够在短时间内在低温下彻底剥离由于过度的光刻工艺造成的变性的光刻胶膜，即使仅通过水而非异丙醇作为中间冲洗溶液进行冲洗也不破坏光刻胶下部的导电膜或绝缘膜，并且其对光刻胶下部的导电金属膜或绝缘膜具有极佳的缓蚀能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光刻 剥离 组合 | ||
【主权项】：
1、一种用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其包含：1)缓蚀剂，其包括选自由化学式1、2和3表示的化合物组成的组中的至少一种；2)水溶性有机胺化合物，其重量为所述缓蚀剂重量的2～50倍；以及3)极性溶剂：[化学式1]![]()
其中，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为氢或羟基，以及R3为氢、叔丁基、羧酸基(-COOH)、甲酯基(-COOCH3)、乙酯基(-COOC2H5)或丙酯基(-COOC3H7)，[化学式2]![]()
其中，R4为氢或含有1～4个碳原子的烷基，以及R5和R6彼此相同或不同，并且各自独立地为含有1～4个碳原子的羟烷基，[化学式3]![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
