[发明专利]形成焊料连接的方法及其结构无效
| 申请号： | 200780019207.1 | 申请日： | 2007-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101454885A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | T·H·道本皮克;J·P·冈比诺;C·D·穆西;沃尔夫冈·索特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在第一方面中，一种方法包括淀积第一含金属层(16)到沟槽结构中，该第一含金属层(16)接触半导体结构(10)的金属化区域(12)。该方法进一步包括在抗蚀剂中对第一含金属层(16)图案化至少一个开口。该开口应该和沟槽结构对准。在至少一个开口内至少形成衬垫含金属层(20)(优选地通过电镀处理)。随后蚀刻该抗蚀剂(18)和抗蚀剂(18)下面的第一金属层(16)(在实施例中，以第二金属层(20)作为掩模)。该方法包括在蚀刻处理之后将焊料材料(22)流到沟槽中和流到衬垫含金属层(20)上。该结构是受控熔塌芯片连接(C4)结构，其包括在抗蚀剂图案中形成的至少一个电镀金属层以形成至少一个球限制冶金层。该结构进一步包括没有底切的下金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 焊料 连接 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：淀积第一含金属层到沟槽结构中，该第一含金属层接触半导体结构的金属化区域；在抗蚀剂中对第一含金属层图案化至少一个开口，该开口大体上与所述沟槽结构对准；在至少一个开口内至少形成衬垫含金属层或者双层；剥离抗蚀剂并蚀刻抗蚀剂下的第一金属层；和将焊料材料流入所述沟槽结构内并流到衬垫含金属层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
