[发明专利]电子部件、半导体封装件和电子器件有效
| 申请号： | 200780019384.X | 申请日： | 2007-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101454887A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 曾川祯道;山崎隆雄;高桥信明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/52;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在常规UBM例如Cu、Ni或NiP中，存在的这样问题：在长时间将电子部件保持在高温条件下时导致UBM的阻挡特性被破坏，并且由于在结合界面形成脆性的合金层，导致结合强度降低。焊料连接部分在高温下储存之后长期连接可靠性降低的问题得到了解决。电子部件上提供有：安置在基板或半导体元件上的电极片；和为覆盖所述电极片而安置的阻挡金属层。所述阻挡金属层在与所述电极片接触侧相反的一侧上包含CuNi合金层，所述CuNi合金层含有15至60原子％的Cu和40至85原子％的Ni。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 部件 半导体 封装 电子器件 | ||
【主权项】：
1. 一种电子部件，所述电子部件包括：电极片，所述电极片形成在基板或半导体元件上；和阻挡金属层，所述阻挡金属层被形成用于覆盖所述电极片，其中所述阻挡金属层在与所述电极片相反的一侧上包含CuNi合金层，所述CuNi合金层含有15至60原子％的Cu和40至85原子％的Ni。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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