[发明专利]形成具有栅极保护的晶体管的方法和根据所述方法形成的晶体管无效
| 申请号： | 200780019516.9 | 申请日： | 2007-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101454883A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | P·L·D·钱格 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种微电子器件及其形成方法。所述方法包括：晶体管栅极；分别与所述栅极的第一侧和第二侧相邻的第一隔离物和第二隔离物；与所述栅极下方相邻的扩散层；与所述扩散层上方相邻并且与所述第一隔离物和第二隔离物相邻的接触区；与所述栅极上方相邻并且位于所述接触区之间的保护帽，所述保护帽适于对所述器件进行保护，避免在所述栅极和所述接触区之间发生短路。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 栅极 保护 晶体管 方法 根据 | ||
【主权项】：
1、一种微电子器件，包括：晶体管栅极；分别与所述栅极的第一侧和第二侧相邻的第一隔离物和第二隔离物；与所述栅极下方相邻的扩散层；与所述扩散层上方相邻并且与所述第一隔离物和第二隔离物相邻的接触区；与所述栅极上方相邻并且位于所述接触区之间的保护帽，所述保护帽适于对所述器件进行保护，避免在所述栅极和所述接触区之间发生短路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780019516.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：实时动态路由顾客电话联系
- 下一篇：编码设备和编辑设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
