[发明专利]具有可变漏电压的非易失性存储器无效
| 申请号： | 200780019680.X | 申请日： | 2007-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101454893A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | T·塔纳蒂;R·梅尔彻;S·钱德拉蒙里;J·贾汉夏尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 非易失性存储器装置根据擦除循环计数值来在编程期间增加浮栅晶体管上的漏电压。当擦除存储器块时，增加该块的擦除循环计数值。当对存储器块编程时，在编程期间使用该块的擦除循环计数值来确定将要在浮栅晶体管上使用的漏电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可变 漏电 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路，其包括：浮栅晶体管单元；用以记录擦除循环次数的机构；以及可变电压源，耦合所述可变电压源来向所述浮栅晶体管单元提供漏电压，并且耦合所述可变电压源来对所述机构记录所述擦除循环次数做出响应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
