[发明专利]一种光子晶体或光子带隙垂直腔面发射激光器的制造方法

摘要

该发明涉及VCSEL的制造方法，其提供一种制造包含微/纳结构模式横向选择层的VCSEL的方法，通过适当地控制局部刻蚀来得到该微/纳结构层。该发明能以非常高的精度来控制微/纳结构层的厚度。特别地，该发明涉及一种制造具有微/纳结构模式选择层的VCSEL的方法，该模式选择层用于控制VCSEL的横向电磁模式。

主权项

1. 一种制造包含微/纳结构模式选择区域的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构的方法，该方法包括步骤：-提供衬底，用于支撑后续步骤中所形成部分；-在该衬底上形成层结构，该层结构包括：包含两层或三层的底镜；在该底镜上形成的III-V基增益区，该增益区适于生成光以及激发该生成的光；在该增益区上形成的包含两层或三层的顶镜，由此底镜和顶镜形成保持增益区的激光腔；位于顶镜内的微/纳结构模式选择区域，该微/纳结构模式选择区域包含光孔，该微/纳结构模式选择区域和该光孔的尺寸至少适于局部地控制该腔的横向电磁模式中的激发光效率；形成该微/纳结构模式选择区域，通过：-形成位于该微/纳结构模式选择区域所在位置的介电微/纳结构模式选择层；-在该介电微/纳结构模式层上形成掩膜层，该掩膜层包括具有与微/纳结构模式选择区域相应的预定微/纳结构模式选择图案/版图的掩膜图案；-将掩膜层作为刻蚀掩膜，利用一种刻蚀技术进行刻蚀，该预定微/纳结构模式选择图案/版图转入该介电微/纳模式选择层内以形成微/纳结构模式选择区域；-去除该掩膜层；其中，在去除掩膜层步骤之后，在该介电微/纳结构模式选择层上面形成该介电微/纳结构模式选择层上的顶镜层；以及其中，该刻蚀技术具有，在该介电微/纳结构模式选择层中的第一刻蚀速率，和在其上形成该介电微/纳结构模式选择层的层中的第二刻蚀速率，第一刻蚀速率大于第二刻蚀速率。