[发明专利]等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法和半导体装置的制造方法

摘要

在使用等离子体处理装置，利用微波使导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，通过该等离子体在被处理基板表面堆积氮化硅膜时，通过含氮气体的种类和处理压力的组合来控制形成的氮化硅膜的应力。上述等离子体处理装置利用具有多个隙缝的平面天线向处理室内导入微波，产生等离子体。

主权项

1. 一种等离子体CVD方法，其特征在于，包括：准备等离子体处理装置的步骤，所述等离子体处理装置具备能够真空排气的处理室、发生微波的微波发生源、平面天线、和向所述处理室内供给成膜原料气体的气体供给机构，所述平面天线具有多个隙缝，将所述微波发生源发生的微波通过所述隙缝导入所述处理室内；在所述处理室内配置被处理基板的步骤；和向所述处理室内导入含氮气体和含硅气体，利用所述微波使这些气体等离子体化，通过该等离子体在被处理基板表面堆积氮化硅膜的步骤，并且，通过所述含氮气体的种类和处理压力来控制形成的所述氮化硅膜的应力。