[发明专利]结势垒肖特基整流器及其制造方法无效
| 申请号： | 200780020722.1 | 申请日： | 2007-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101467262A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·S·马佐拉;成林 | 申请（专利权）人： | 半南实验室公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/04;H01L29/06;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 朦;王艳春 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及结势垒肖特基(JBS)整流器器件及其制造方法。该器件包括外延生长的第一n型漂移层和p型区，以形成p型区之间或顶部上的p+-n结和自平坦化的外延过生长第二n型漂移区。该器件可包括边缘终止结构，例如露出或埋入的p+-n保护环、再生长或注入的结终止延伸(JTE)区、或向下蚀刻至衬底的“深”台面。第二n型漂移区的肖特基触点和p型区的欧姆触点共同构成阳极。阴极可由晶片背侧的n型区的欧姆触点形成。该器件可用于单片的数字、模拟和微波集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 结势垒肖特基 整流器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：衬底层，其包括第一传导类型的半导体材料；可选的缓冲层，其包括在所述衬底层上的、所述第一传导类型的半导体材料；漂移层，处于所述衬底层或所述缓冲层上，所述漂移层包括所述第一传导类型的半导体材料；中央区，其包括在所述漂移层的中央部分上的、不同于所述第一传导类型的第二传导类型的半导体材料的多个区域，所述第二传导类型的半导体材料的所述区域具有上表面和侧壁；以及所述第一传导类型的半导体材料的外延过生长漂移区，其位于与所述第二传导类型的半导体材料的所述多个区域相邻的漂移层上，并且可选地，位于所述第二传导类型的半导体材料的所述多个区域的上表面上。
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