[发明专利]对玻璃表面，涂有金属氧化物的玻璃表面，和其他SiO2涂覆材料的表面进行清洗、蚀刻、活化和后续处理的装置和方法

摘要

本发明涉及通过电等离子体层的作用，对玻璃表面，涂有金属氧化物或涂有有机材料层的玻璃表面，SiO₂层涂覆材料，和具有有机材料表面涂层的SiO₂层涂覆材料进行清洗、蚀刻、活化和后续处理的装置。此处所披露的发明包括至少一个电极系统(1)，它由位于绝缘体(4)内部的至少两个电极(2)和(3)组成。电等离子体层优选是在大气压力下生成的，并且优选位于电极(2)和(3)的上方，与处理过的玻璃，金属氧化物涂覆玻璃，其他SiO₂涂覆材料和具有一层有机材料(5)的SiO₂涂覆材料处在同一侧，并且通过在它们之间施加的交变或脉冲电压来激励。本发明还涉及玻璃表面，金属氧化物涂覆玻璃，其他SiO₂涂覆材料，和具有有机材料层的SiO₂涂覆材料的处理方法，该方法的特征在于通过使用本发明的装置生成的电等离子体来影响所述表面。可选地，所述等离子体处理的表面还可以涂有含H₂O的溶液，曝射于单体蒸汽，或者与其他材料接触。

主权项

1. 一种对玻璃表面，涂有金属氧化物或涂有有机材料层的玻璃表面，SiO2层涂覆材料，和具有有机材料表面涂层的SiO2层涂覆材料进行清洗、蚀刻、活化的装置，其特征在于该装置包括电极系统(1)，它由位于绝缘体(4)内部的导电电极(2)和(3)组成，第一电极(2)和第二电极(3)的最小相对距离小于2mm，大于0.05mm，并且与所述玻璃，涂有金属氧化物或涂有有机材料层的玻璃物品，SiO2层涂覆物品，和具有有机材料表面层(5)的SiO2层涂覆的物品处在同一侧，以便电极(2)和(3)以如下方式通过脉冲电压来激励，在绝缘体(4)表面的一部分生成电等离子体层(6)，优选在导电电极(2)和(3)表面上方的绝缘体表面上生成，以便大于在电极(2)和(3)之间流动的总麦克斯韦位移电流25％的麦克斯韦位移电流有效部分不会与等离子体(6)或与等离子体层(6)接触的处理过的材料(5)表面相交，以便涂有等离子体层(6)的一部分绝缘体(4)表面和处理过的材料(5)表面之间的距离小于1mm，并且导电电极(2)和(3)不与等离子体层(6)接触。