[发明专利]具有单个接口的混合存储器设备有效
申请号: | 200780021218.3 | 申请日: | 2007-06-01 |
公开(公告)号: | CN101473438A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | R·帕纳巴克;J·克里西 | 申请(专利权)人: | 微软公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 顾嘉运 |
地址: | 美国华*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 所描述的是一种技术,按照该技术,存储器控制器是其中具有不同类型的存储器(例如,SDRAM和闪存)的混合存储器设备的一个组件,其中该控制器操作使得该存储器设备只拥有为一类存储器定义的、关于电压和访问协议的单个存储器接口。例如,该控制器允许具有标准SDRAM接口的存储器设备提供对SDRAM和非易失性存储器的访问,该非易失性存储器被覆盖在易失性存储器地址空间的一个或多个指定块中(或相反)。命令协议将存储器页映射到易失性存储器接口地址空间,例如,准许单个引脚兼容多芯片封装替换想要提供非易失性存储的任何计算设备中的现有易失性存储器设备,而只要求对该设备进行软件改变以访问该闪存。 | ||
搜索关键词: | 具有 单个 接口 混合 存储器 设备 | ||
【主权项】:
1. 一种在存储器设备中的方法,包括:在控制器处,在所述存储器设备处经由为与所述存储器设备相关联的第一类存储器定义的接口来接收命令、地址和数据;在所述控制器处确定在所述存储器设备处接收到的信息是否对应于与所述存储器设备相关联的第二类存储器,并且如果是,则向所述第二类存储器输出信号以向所述第二类存储器传输至少一个命令和/或在所述第二类存储器上执行至少一个数据输入/输出(I/O)操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的