[发明专利]在外延横向过度生长氮化镓模板上生长氧化锌膜的方法有效
| 申请号： | 200780021504.X | 申请日： | 2007-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101467231A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡树仁;周海龙;林建毅;潘晖 | 申请（专利权）人： | 新加坡国立大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种高质量氧化锌的生长方法，包括以下的步骤：(1)在1000℃左右的温度在蓝宝石衬底上生长氮化镓层；(2)构图SiO2掩模为以氮化镓面的平面而生长氮化镓层的外延横向过度生长(ELO)；(4)通过化学气相沉积(CVD)在ELO氮化镓模板晶面上沉积氧化锌膜。可以在氮化镓模板上生长具有减小的晶体缺陷数量的高质量的氧化锌晶体。该方法可以用于制造具有低于104/cm-2的低位错密度的氧化锌膜，这将在未来的电子和光电器件中找到重要的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 横向 过度 生长 氮化 模板 氧化锌 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造氧化锌半导体层的方法，包括的步骤是：用其中包括开口阵列的掩模掩蔽底氮化镓层；通过所述开口阵列在所述底氮化镓层上形成过度生长的氮化镓半导体层；并且在所述过度生长的氮化镓半导体层上横向生长氧化锌，从而形成连续的过度生长的单晶氧化锌半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
