[发明专利]蚀刻方法有效
| 申请号： | 200780021627.3 | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101466873A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 安雅·皮施蒂亚克;托马斯·施瓦策;米夏埃尔·皮特罗夫 | 申请（专利权）人： | 苏威氟有限公司 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;C23C16/44;H01L21/311;H01L21/3213;B08B7/00;H01J37/32;C23C14/56;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;吴亦华 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 氟气与不活泼气体如氮气和/或氩气的混合物可用于蚀刻半导体、太阳能电池板和平板(薄膜晶体管和液晶显示器)，以及用于半导体表面和等离子室的清洗。优选地，氟气是以15vol.％至25vol.％的含量包含在二元混合物中。这些气体混合物可被用作含有NF3的相应混合物的替代物或者引入物并且允许等离子体装置非常灵活地操作。例如，被调节用于NF3/Ar气体混合物的装置可以无需进一步调试而使用氟气和氩气，任选与氮气一起使用。如果使用氟气、氮气和氩气的三元混合物，则氟气含量优选在1vol.％至5vol.％的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于蚀刻或者清洗半导体材料、太阳能电池板或者平板(薄膜晶体管和液晶显示器)的表面，或者用于清洗半导体制造装置的腔室的方法，其特征在于，使用一种混合物，所述混合物包含氟气与一种或更多种不活泼气体或者由氟气与一种或更多种不活泼气体组成，所述不活泼气体选自由氮气和稀有气体组成的组。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏威氟有限公司，未经苏威氟有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780021627.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：纺纱机上工作站的分布
- 下一篇：将液氨分解为氮气和氢气的装置
