[发明专利]具有再发射半导体构造和光学元件的LED装置无效
| 申请号： | 200780022022.6 | 申请日： | 2007-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101467274A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 凯瑟琳·A·莱瑟达勒;安德鲁·J·乌德科克;迈克尔·A·哈斯;托马斯·J·米勒;卢冬 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;关兆辉 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种光源，所述光源包括具有发射表面的LED组件以及具有与该发射表面进行光学接触的输入表面的光学元件。与包括不位于pn结内的第二势阱的再发射半导体构造相结合，该LED组件可以是或可以包括能够以第一波长发射光的LED，例如LED晶粒。该光学元件可以是形状为会聚的、发散的或它们的组合的提取器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 再发 半导体 构造 光学 元件 led 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种光源，包括：LED组件，其具有发射表面并包括LED和再发射半导体构造，所述LED能够以第一波长发射光，并且所述再发射半导体构造包括不位于pn结内的第二势阱；以及光学元件，其具有输入表面和输出表面，所述输入表面与所述发射表面的至少一部分进行光学接触。
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