[发明专利]双栅极晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200780022097.4 | 申请日： | 2007-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101467235A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 延·索斯基;米切尔·J·范杜雷 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L21/8247;G11C16/04;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在半导体衬底(2)上的双栅极晶体管，包括第一扩散区(S2)、第二扩散区(S3)、以及双栅极(FG、CG)。将第一和第二扩散区(S2，S3)布置在衬底上，由沟道区(CR)将所述第一和第二扩散区(S2，S3)隔开。双栅极包括第一栅极电极(FG)和第二栅极电极(CG)。多晶硅层间电介质层(IPD)将第一栅极电极与第二栅极电极分开。将第一栅极电极布置在沟道区之上，由栅极氧化物层(G)将所述第一栅极电极与沟道区分开。将第二栅极电极定形为中心体。将多晶硅层间电介质层布置为包围第二栅极电极主体外表面(A1)的管道形状的层。第一栅极电极包围多晶硅层间电介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体衬底(2)上的双栅极晶体管，包括第一扩散区(S2)、第二扩散区(S3)、以及双栅极(FG、CG)；将第一和第二扩散区(S2，S3)布置在衬底中，由沟道区(CR)将所述第一和第二扩散区(S2，S3)隔开；双栅极包括第一栅极电极(FG)和第二栅极电极(CG)；层间电介质层(IPD)将第一栅极电极与第二栅极电极分开；将第一栅极电极布置在沟道区之上，由栅极氧化物层(G)将所述第一栅极电极与沟道区分开；将第一栅极电极布置为管道形状的层，该管道形状的层具有包围多晶硅层间电介质层的第一内表面(A1)，多晶硅层间电介质层包围第二栅极电极，第二栅极电极形状为中心体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NXP股份有限公司，未经NXP股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780022097.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
