[发明专利]衬底处理系统以及衬底搬送方法有效
申请号: | 200780022326.2 | 申请日: | 2007-06-15 |
公开(公告)号: | CN101473416A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 山本雄一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/677 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统(100)具有主搬送线(20)和副搬送线(30),该主搬送线(20)在系统的整体中进行晶片(W)的搬送,该副搬送线(30)进行光刻处理部(1a)内的晶片(W)的搬送。在光刻处理部(1a)中,抗蚀剂涂敷处理装置(2)和显影处理装置(5)被分离配置,第一曝光处理装置(3a)和第一PEB处理装置(4a)、第二曝光处理装置(3b)和第二PEB处理装置(4b)相邻配置。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 系统 以及 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种衬底处理系统,对被处理衬底进行包括光刻工序的处理,其特征在于,具备:第一自动衬底搬送线,在对被处理衬底单独进行处理的多个处理部之间进行被处理衬底的搬送;光刻处理部,以能够在与所述第一自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式构成,进行所述光刻工序中的一系列处理;第二自动衬底搬送线,在所述光刻处理部的各处理装置之间进行被处理衬底的搬送,所述光刻处理部具备:抗蚀剂涂敷处理装置,对被处理衬底表面涂敷抗蚀剂;曝光处理装置,对涂敷在被处理衬底上的抗蚀剂进行曝光处理;曝光后烘焙处理装置,对曝光处理后的抗蚀剂进行加热处理;显影处理装置,对加热处理后的抗蚀剂进行显影处理,所述抗蚀剂涂敷处理装置、所述曝光后烘焙处理装置和所述显影处理装置以分别能够在与所述第二自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式分离配置,所述曝光处理装置以经由所述曝光后烘焙处理装置在与所述第二自动衬底搬送线之间进行被处理衬底的交接的方式,与所述曝光后烘焙处理装置相邻配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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