[发明专利]形成绝缘体上半导体结构的方法无效
| 申请号： | 200780022389.8 | 申请日： | 2007-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101479651A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | M·A·斯托克 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘 佳 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种将半导体薄膜接合到矩形衬底(22)的方法。该方式使矩形半导体膜从圆形前体半导体晶片剥落成为可能，从而用半导体膜提供衬底的有效平铺。该方法包括通过晶片的离子注入在前体晶片(10)中产生损伤带(12)的步骤、去除晶片的部分(16)以形成凸起部分(18)、将晶片(10)的凸起部分接合到衬底(22)、以及剥落所接合的凸起部分。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 绝缘体 上半 导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在衬底(22)上形成半导体膜的方法，包括：提供半导体晶片(10)；离子注入所述半导体晶片；去除所述半导体晶片(10)的各部分(16)以在所述晶片上形成凸起部分(18)；将所述晶片(10)的所述凸起部分(18)接合到所述衬底(22)；使所述凸起部分(18)与所述晶片(10)分离以在所述衬底上形成所述半导体膜。
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