[发明专利]具有低串扰的PMOS像素结构有效

专利信息
申请号: 200780023065.6 申请日: 2007-03-23
公开(公告)号: CN101473441A 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: E·G·斯蒂芬斯;H·科莫里 申请(专利权)人: 伊斯曼柯达公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李 娜;王忠忠
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种图像传感器,该图像传感器具有包含多个像素的图像区,该多个像素的每一个具有第一导电类型的光电探测器,该图像传感器包括:第一导电类型的衬底;第二导电类型的第一层,位于该衬底和该光电探测器之间,跨过该图像区,且相对于该衬底被偏置在预定电势用于将过剩载流子驱入该衬底内以减小串扰;一个或多个相邻有源电子部件,布置于每一个像素内的该第一层中;以及电子电路,布置于该图像区外部的该衬底中。
搜索关键词: 具有 低串扰 pmos 像素 结构
【主权项】:
1. 一种图像传感器,所述图像传感器具有包含多个像素的图像区,所述多个像素的每一个具有使用空穴作为载荷子的p导电类型的光电探测器,所述图像传感器包括:(a)p导电类型的衬底;(b)n导电类型的第一层,位于所述衬底和所述p型光电探测器之间,跨过所述图像区,且相对于所述衬底被偏置在预定电势,用于将过剩载流子驱入所述衬底内以减小串扰;(c)一个或多个相邻有源电子部件,布置于每一个像素内的所述第一层中;以及(d)CMOS电子支持电路,布置于所述图像区外部的所述衬底中并电连接到所述图像区。
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