[发明专利]具有低串扰的PMOS像素结构有效
申请号: | 200780023065.6 | 申请日: | 2007-03-23 |
公开(公告)号: | CN101473441A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | E·G·斯蒂芬斯;H·科莫里 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李 娜;王忠忠 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种图像传感器,该图像传感器具有包含多个像素的图像区,该多个像素的每一个具有第一导电类型的光电探测器,该图像传感器包括:第一导电类型的衬底;第二导电类型的第一层,位于该衬底和该光电探测器之间,跨过该图像区,且相对于该衬底被偏置在预定电势用于将过剩载流子驱入该衬底内以减小串扰;一个或多个相邻有源电子部件,布置于每一个像素内的该第一层中;以及电子电路,布置于该图像区外部的该衬底中。 | ||
搜索关键词: | 具有 低串扰 pmos 像素 结构 | ||
【主权项】:
1. 一种图像传感器,所述图像传感器具有包含多个像素的图像区,所述多个像素的每一个具有使用空穴作为载荷子的p导电类型的光电探测器,所述图像传感器包括:(a)p导电类型的衬底;(b)n导电类型的第一层,位于所述衬底和所述p型光电探测器之间,跨过所述图像区,且相对于所述衬底被偏置在预定电势,用于将过剩载流子驱入所述衬底内以减小串扰;(c)一个或多个相邻有源电子部件,布置于每一个像素内的所述第一层中;以及(d)CMOS电子支持电路,布置于所述图像区外部的所述衬底中并电连接到所述图像区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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