[发明专利]用于从下向上填充间隙的介电材料沉积与回蚀方法无效
| 申请号： | 200780023173.3 | 申请日： | 2007-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101473426A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | D·卢博米尔斯基;S·D·耐马尼;E·叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于减少介电层中薄膜破裂的方法。该些方法可包含沉积一第一介电薄膜在一基材上以及蚀刻第一介电薄膜以移除第一介电薄膜的顶部的步骤。该些方法亦可包括沉积一第二介电薄膜在已蚀刻的第一介电薄膜上，以及移除第二介电薄膜的顶部。此外，该些方法可包括退火第一与第二介电薄膜以形成介电层，其中移除第一与第二介电薄膜的顶部能减少介电层中的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 向上 填充 间隙 材料 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种减少一介电层内薄膜破裂的方法，该方法包含：沉积第一介电薄膜于基材上；蚀刻该薄膜以移除该第一介电薄膜的顶部；沉积第二介电薄膜于该已蚀刻的第一介电薄膜上；移除该第二介电薄膜的顶部；以及退火该第一与第二介电薄膜，以形成该介电层，其中，移除该第一与第二介电薄膜的顶部减少该介电层内的应力。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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