[发明专利]具有对其他室部件最小腐蚀的快速清洁等离子限制环的设备、系统和方法有效
申请号: | 200780023237.X | 申请日: | 2007-06-01 |
公开(公告)号: | CN101473061A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 埃里克·赫德森;安德烈亚斯·菲舍尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;吴贵明 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开一种用来从等离子限制环快速去除聚合物膜而对其他等离子蚀刻室零件造成最小腐蚀的设备。该设备包含中心组件、电极板、限制环栈、第一等离子源和第二等离子源。该电极板固定在中心组件的表面,该中心组件中具有沿外圆周形成的通道。第一等离子源设置在该通道内并且沿着中心组件的外圆周,其中第一等离子源用以引导等离子至限制环栈的内圆周表面。远离该第一等离子源设置的第二等离子源用以在蚀刻室内的基片上执行处理操作。 | ||
搜索关键词: | 具有 其他 部件 最小 腐蚀 快速 清洁 等离子 限制 设备 系统 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种蚀刻室,包含:中心组件;电极板,固定于该中心组件的表面,其中通道沿着该中心组件的外圆周而形成;第一等离子源,设置于该通道内并且沿着该中心组件的外圆周,其中该第一等离子源用以引导等离子至限制环栈的内圆周表面;以及第二等离子源,用以在该蚀刻室内的基片上执行处理操作,该第二等离子源设置为远离该第一等离子源。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的