[发明专利]气体喷射以均匀地蚀刻基片无效
| 申请号： | 200780023257.7 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101473415A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 哈米特·辛格;戴维·寇奥珀勃格;瓦尔德·瓦赫迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有提高的关键尺寸均一性的蚀刻半导体基片的方法包括在电感耦合等离子蚀刻室中基片支撑件上支撑半导体基片；提供第一蚀刻气体该半导体基片之上的中间区域；提供包括至少一种含硅气体的第二气体至该半导体基片之上围绕该中间区域的边缘区域，其中该第二气体中硅浓度大于该第一蚀刻气体中的硅浓度；由该第一蚀刻气体和第二气体生成等离子；以及等离子蚀刻该半导体基片的暴露表面。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 喷射 均匀 蚀刻 | ||
【主权项】：
1. 一种具有提高的关键尺寸均一性的蚀刻半导体基片的方法包括：在电感耦合等离子蚀刻室中基片支撑件上支撑半导体基片；提供第一蚀刻气体至该半导体基片之上的中间区域；提供包括至少一种含硅气体的第二气体至该半导体基片之上围绕该中间区域的边缘区域，其中该第二气体中硅浓度大于该第一蚀刻气体中的硅浓度；通过将射频能量电感耦合进该室而由该第一蚀刻气体和第二气体生成等离子；以及等离子蚀刻该半导体基片的暴露表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780023257.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：服务提供系统、网关、以及服务器
- 下一篇：制备碱纤维素和水溶性纤维素醚的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
