[发明专利]具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200780023663.3 | 申请日： | 2007-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101485000A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 张峻豪;崔在完;裵德圭;曺贤敬;朴种国;金善正;李政洙 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 这里公开了一种具有垂直拓扑的发光二极管。具体地说，提供了一种能够改善发光效率及其可靠性并且还能够实现大规模生产的具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法。该方法包括在衬底上形成半导体层；在半导体层上形成第一电极；在第一电极上形成支撑层；在衬底和半导体层之间的界面处生成声音应力波，从而将衬底从半导体层分离；在通过分离衬底而露出的半导体层上形成第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 拓扑 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造具有垂直拓扑的发光二极管(LED)的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成半导体层；在所述半导体层上形成第一电极；在所述第一电极上形成支撑层；在所述衬底和所述半导体层之间的界面处生成声音应力波，从而将所述衬底从所述半导体层分离；并且在通过分离所述衬底而露出的半导体层上形成第二电极。
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