[发明专利]电子元件、使用该电子元件的电子元件装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200780023700.0 | 申请日： | 2007-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101479839A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 舟木达弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有连接至少表面由Al或Al合金形成的电极和金属纳米粒子的烧结体的连接部的电子元件、使用该电子元件的电子元件装置及其制造方法，该电子元件具有：电子元件本体以及电极，该电极包含至少表面由Al或Al合金形成的第1电极、和在上述第1电极上键合的由金属纳米粒子的烧结体形成的第2电极；其特征在于，上述第1电极和第2电极的键合界面具有从上述第1电极侧向上述第2电极侧，以(a)主成分为Al的第1层，(b)主成分为Al氧化物的第2层，(c)主成分为Al和金属纳米粒子的构成元素的合金的第3层，(d)主成分为金属纳米粒子的构成元素的第4层的顺序排列的多层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 使用 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电子元件，具有：电子元件本体以及电极，该电极包含至少表面由Al或Al合金形成的第1电极、和在上述第1电极上键合的由金属纳米粒子的烧结体形成的第2电极；其特征在于，上述第1电极和第2电极的键合界面具有从上述第1电极侧向上述第2电极侧，按以下顺序排列的多层结构：(a)主成分为Al的第1层，(b)主成分为Al氧化物的第2层，(c)主成分为Al和金属纳米粒子的构成元素的合金的第3层，(d)主成分为金属纳米粒子的构成元素的第4层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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