[发明专利]热稳定性好的高功率半导体组件有效
| 申请号： | 200780024061.X | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101479940A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 斯科·K·雷;安荷·叭刺;圣杰·哈佛纳 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁;王敏杰 |
| 地址： | 百慕大*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明提供一种热稳定性好的高功率半导体组件，其包括一电路，用以提供该高功率半导体中栅极的栅极驱动电压，此栅极驱动电压具有一负温度系数，可在高功率半导体组件温度递增时提供一渐减的栅极驱动电压，使高功率半导体组件的净源极-漏极温度系数小于或等于零。在一实施例中，栅极驱动电路包括具有负正向电压温度系数的二极管，其连接在高功率半导体组件的栅极和源极之间；在另一实施例中，将栅极电压与高功率半导体组件所组成的集成电路中的高功率半导体组件合并。 | ||
| 搜索关键词： | 热稳定性 功率 半导体 组件 | ||
【主权项】：
1. 一种高功率半导体组件，包括：一电路，其用以提供该高功率半导体中栅极的栅极驱动电压，该栅极驱动电压具有一负温度系数，可在该高功率半导体组件温度增加时提供一减小的栅极驱动电压，使该高功率半导体组件的净温度系数小于或等于零。
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