[发明专利]制造双极晶体管的方法以及采用该方法得到的双极晶体管

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件(10)的方法，所述半导体器件(10)包括衬底(12)、硅半导体本体(11)以及双极晶体管，所述双极晶体管具有第一导电类型的射极区(1)、与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区(2)、以及第一导电类型的集电极区(3)，在半导体本体(11)的表面上沉积至少一个外延半导体层(20，21，22)，在所述半导体本体的表面中将形成集电极区(3)，在外延半导体层中将形成基极区(2)；在该外延半导体层的顶部形成蚀刻停止层(15)；在蚀刻停止层上沉积硅低结晶半导体层(24)；在硅低结晶半导体层(24)中形成基极区(2)的连接区；在低结晶半导体层(24)中在将要形成的射极区(1)的位置处提供开口(7)，开口(7)延伸至蚀刻停止层(15)，蚀刻停止层(15)的一部分覆盖开口(7)；通过蚀刻将蚀刻停止层(15)以及蚀刻停止层(15)的相邻部分去除，在硅低结晶半导体层(24)下面、与开口(7)相邻并且相连接地创建空腔(8)；以及在空腔(8)中形成高结晶半导体层(5)。在根据本发明的方法中，以这样的方式形成高结晶半导体层(5)，使得在与开口(7)相邻的半导体本体(11)表面部分保持无高结晶半导体层(5)。这样，以容易的方式得到了高质量的器件(10)。使用覆盖层(6)或以优选的方式甚至不使用这样的层，使相关表面保持无高结晶半导体层。

主权项

1、一种制造半导体器件(10)的方法，所述半导体器件(10)包括衬底(12)、硅半导体本体(11)以及双极晶体管，所述双极晶体管具有第一导电类型的射极区(1)、与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区(2)、以及第一导电类型的集电极区(3)，该方法包括：在半导体本体(11)的表面上沉积至少一个外延半导体层(20，21，22)，在所述半导体本体中将形成集电极区(3)，在外延半导体层中将形成基极区(2)，在外延半导体层的顶部上形成蚀刻停止层(15)；在蚀刻停止层上沉积硅低结晶半导体层(24)；在半导体层(24)中形成基极区(2)的连接区；在将要形成的射极区(1)的位置处、在低结晶半导体层(24)中提供开口(7)，所述开口(7)延伸至蚀刻停止层(15)，所述蚀刻停止层(15)的一部分覆盖开口(7)；通过蚀刻去除蚀刻停止层(15)的相邻部分，从而在硅低结晶半导体层(24)下面、与开口(7)相邻并且相连接地创建空腔(8)；以及在空腔(8)中形成高结晶半导体层(5)，其特征在于，以这样的方式形成高结晶半导体层(5)：与开口(7)相邻的半导体本体(11)表面部分保持无高结晶半导体层(5)。