[发明专利]原料的气化供给装置以及用于其的自动压力调节装置

摘要

实现基于MOCVD法的用于半导体制造的原料气化供给装置的构造的简易化和小型化，并且高精度地控制原料向加工室的供给量，从而实现半导体的品质的稳定化和品质的提升。本发明的原料气体供给装置，具有：原料容器，贮留原料；流量控制装置，将来自载流气体供给源的一定流量的载流气体(G₁)一边调整流量一边向上述原料容器的原料中供给；1次配管路，导出积存在原料容器的上部空间中的原料的蒸气(G₄)与载流气体(G₁)的混合气体(G₀)；自动压力调节装置，基于上述1次配管路的混合气体(G₀)的压力以及温度的检测值来调节夹设在1次配管路的末端上的控制阀的开度，调节混合气体(G₀)所流通的通路截面积，从而保持原料容器内的混合气体(G₀)的压力为恒定值；恒温加热部，将上述原料容器以及自动压力调节装置的除了运算控制部的部分加热至设定温度，一边控制原料容器内的内压为期望的压力一边向加工室供给混合气体(G₀)。

主权项

1. 一种原料的气化供给装置，其特征在于，具有：原料容器，贮留原料；流量控制装置，将来自载流气体供给源的一定流量的载流气体G1一边进行流量调整一边向上述原料容器的原料中供给；1次配管路，导出积存在原料容器的上部空间中的原料的蒸气G4与载流气体G1的混合气体G0；自动压力调节装置，基于上述1次配管路的混合气体G0的压力以及温度的检测值来调节夹设在1次配管路的末端上的控制阀的开度，调节混合气体G0所流通的通路截面积，从而将原料容器内的混合气体G0的压力保持为恒定值；恒温加热部，将上述原料容器以及自动压力调节装置的除了运算控制部之外的部分加热至设定温度；将原料容器内的内压控制为期望的压力，同时向加工室供给混合气体G0。