[发明专利]可配置多相耦合磁结构有效
申请号: | 200780024361.8 | 申请日: | 2007-06-27 |
公开(公告)号: | CN101479817A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | J·韩;J·罗德里格斯;D·阮 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01F30/12 | 分类号: | H01F30/12;H01F27/24;H01F27/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 柯广华;王小衡 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在一些实施例中,可配置多相耦合磁结构可包括:限定了内部空间的四面壶形芯;布置在所述四面壶形芯内部空间内的一个或更多圆柱形芯,缠绕在所述一个或更多圆柱形芯周围的至少两个线圈,其中所述至少两个线圈以多相电能输送配置连接。所述线圈可以是多匝线圈。所述四面壶形芯可以是矩形形状的壶形芯。所述圆柱形芯可以是I-芯。本文也公开和声明了其他实施例。 | ||
搜索关键词: | 配置 多相 耦合 结构 | ||
【主权项】:
1. 一种装置,包括:限定了内部空间的四面壶形芯;布置在所述四面壶形芯的内部空间内的一个或更多圆柱形芯;相应地缠绕在所述一个或更多圆柱形芯周围的至少两个线圈,其中所述至少两个线圈以多相电能输送配置连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780024361.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高速基片对齐器设备
- 下一篇:基于聚丙烯的具有高电击穿强度的电缆层