[发明专利]碳纳米管成长用基板、碳纳米管成长方法、碳纳米管成长用催化剂的粒径控制方法及碳纳米管直径的控制方法无效
| 申请号： | 200780025057.5 | 申请日： | 2007-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101484383A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 中野美尚;山崎贵久;村上裕彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B01J23/755;B01J33/00;C23C14/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈 昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及具有使用电弧等离子枪进行微粒化的催化剂层的碳纳米管成长用基板。在该催化剂层上用热CVD法或遥控等离子CVD法使CNT成长。通过电弧等离子枪的发射数控制CNT成长用催化剂的粒径。在控制该催化剂粒径的催化剂层上用热CVD法或遥控等离子CVD法使CNT成长，控制其内径或外径。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 成长 用基板 方法 催化剂 粒径 控制 直径 | ||
【主权项】：
1. 一种碳纳米管成长用基板，其特征在于，在表面上具有使用电弧等离子喷枪形成的催化剂层。
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