[发明专利]化合物半导体外延基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200780025186.4 | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101484986A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 中野强 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/201;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱 丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供电子迁移率特性获得改善的更高性能的化合物半导体外延基板及其制造方法。化合物半导体外延基板具有电子移动的通道层以及位于通道层的前侧和背侧的外延层，并且，位于通道层的背侧的外延层中每单位面积的p型载流子浓度总量A(/cm2)、位于通道层的前侧的外延层中每单位面积的p型载流子浓度总量B(/cm2)满足下式(1)。0＜A/B≤3.5(1)。在此，A＝(位于通道层的背侧的外延层中含有的活性状态的受主杂质提供的总p型载流子浓度)×(位于背侧的外延层的总厚度)，B＝(位于通道层的前侧的外延层中含有的活性状态的受主杂质提供的总p型载流子浓度)×(位于前侧的外延层的总厚度)。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 平面器件用的化合物半导体外延基板，其具有电子移动的通道层以及位于通道层的前侧和背侧的外延层，并且，位于通道层的背侧的外延层中每单位面积的p型载流子浓度总量A(/cm2)、位于通道层的前侧的外延层中每单位面积的p型载流子浓度总量B(/cm2)满足下式(1)，0
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
