[发明专利]用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物、使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法、以及通过该方法生产的半导体集成电路器件

摘要

本发明提供了一种用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含有机硅聚合物和溶剂或溶剂混合物，其中有机硅聚合物是在酸催化剂存在下，通过缩聚由以下式1、2和3表示的化合物的水解产物而制备的：[R¹O]₃S-X(1)，其中X是含有至少一个取代或未取代芳环的C₆-C₃₀官能团，而R¹是C₁-C₆烷基；[R²O]₃S-R³(2)，其中R²是C₁-C₆烷基，而R³是C₁-C₁₂烷基；以及[R⁴O]₃S-Y-S[OR⁵]₃(3)，其中R⁴和R⁵每一个独立地是C₁-C₆烷基，而Y是选自由取代或未取代的芳环、直链或支链C₁-C₂₀亚烷基、含有芳环的C₁-C₂₀亚烷基、杂环、主链中的脲基或异氰尿酸酯基和含有至少一个多重键的C₂-C₂₀烃基组成的组中的连接基团。该硬掩模组合物表现出优异的膜特性和良好的储存稳定性，并且由于其令人满意的硬掩模特性而可以将良好图案转移到材料层。另外，该硬掩模组合物具有对O₂等离子体气体在用于图案化的后续蚀刻的改善的蚀刻抗性。该硬掩模组合物可用来形成高度亲水性薄膜，因而可以有效改善薄膜与覆盖抗反射涂层的界面相容性。本发明还提供了一种使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法。

主权项

1. 一种用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物，包括有机硅烷聚合物和溶剂或溶剂的混合物，其中，所述有机硅烷聚合物是在酸催化剂存在下由以下式1、2和3表示的化合物制备的：[R1O]3Si-X (1)其中X是含有至少一个取代或未取代的芳环的C6-C30官能团，而R1是C1-C6烷基；[R2O]3Si-R3 (2)其中R2是C1-C6烷基，而R3是C1-C12烷基；以及[R4O]3Si-Y-Si[OR5]3 (3)其中R4和R5每一个独立地是C1-C6烷基，而Y是选自由取代或未取代的芳环、直链或支链C1-C20亚烷基、含有芳环的C1-C20亚烷基、杂环、主链中的脲基或异氰尿酸酯基和含有至少一个多重键的C2-C20烃基组成的组中的连接基团。