[发明专利]半导体激光装置有效
| 申请号： | 200780026061.3 | 申请日： | 2007-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101490915A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 佐藤智也;高山彻;早川功一;木户口勋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/223 | 分类号： | H01S5/223 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 杨 谦;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有脊条构造的半导体激光装置(100)，具备：n型包层(105)，具有凸部；以及n型电流阻碍层(107)，覆盖除凸部的上表面之外的上述包层；设上述上表面的宽度为W，前后两解理面间的距离为L，前方的解理面上的上述上表面的宽度为Wf，后方的解理面上的上述上表面的宽度为Wr时，Wf＞Wr；在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，上述上表面所占的面积Sc在L/8×(3Wf+Wr)＜Sc≤L/2×Wf的范围内，在上述范围内的任意的位置，W在1/2(Wf+Wr)＜W≤Wf的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光装置，具有脊条构造，其特征在于，具备：包层，具有凸部；以及电流阻碍层，覆盖除凸部的上表面之外的上述包层；凸部的上表面的宽度W在前后两端的解理面间变化，设前后两端的解理面间的距离为L，前方的解理面侧的上述上表面的宽度为Wf，后方的解理面侧的上述上表面的宽度为Wr时，Wf>Wr，在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，上述上表面所占的面积Sc在L/8×(3Wf+Wr)
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