[发明专利]用于熔炉的多区加热器有效
| 申请号： | 200780026204.0 | 申请日： | 2007-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101490491A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | J·约德伏斯基 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | F27B5/14 | 分类号： | F27B5/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用以加热半导体处理腔室的设备与方法。本发明的一实施例提供一种用以加热半导体处理腔室(205)的熔炉。该熔炉包含：加热器(202)，该加热器(202)围绕该半导体处理腔室的多个侧壁，其中该加热器(202)包含多个加热元件(220)，这些加热元件(220)在至少两个独立控制的区域中连接；以及壳体(201)，其围绕该加热器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 熔炉 加热器 | ||
【主权项】：
1. 一种用以加热半导体处理腔室的熔炉，其至少包含：加热器，其围绕该半导体处理腔室的多个侧壁，其中该加热器包含多个加热元件，这些加热元件被连接在至少两个独立控制的区域中；以及壳体，其围绕该加热器，其中该加热器被固定至该壳体。
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