[发明专利]对于金属薄膜的CVD/ALD有用的锑及锗复合物

摘要

本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗-锑-碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。

主权项

1.一种金属复合物，选自化学式(A)、(B)、(C)、(D)及(E)(I)-(E)(XVI)的复合物：Sb(NR1R2)(R3N(CR5R6)mNR4) (A)其中：R1、R2、R3及R4可彼此相同或不同，且独立地选自C1-C6烷基、C3-C6环烷基、C2-C6烯基(例如，乙烯基、烯丙基等)、C3-C6烷基硅烷基、C6-C10芳基；R5及R6各自可彼此相同或不同，且独立地选自氢、C1-C6烷基、C3-C6环烷基、C2-C6烯基(例如，乙烯基、烯丙基等)、C3-C6烷基硅烷基、及C6-C10芳基；以及m是1至4的整数，包括端值；Sb(R1)(R2N(CR4R5)mNR3) (B)其中：R1、R2及R3可彼此相同或不同，且独立地选自C1-C6烷基、C3-C6环烷基、C2-C6烯基(例如，乙烯基、烯丙基等)、C3-C6烷基硅烷基、及C6-C10芳基；R4及R5各自可彼此相同或不同，且独立地选自氢、C1-C6烷基、C3-C6环烷基、C2-C6烯基(例如，乙烯基、烯丙基等)、C3-C6烷基硅烷基、及C6-C10芳基；以及m是1至4的整数，包括端值；Sb(R1)3-n(NR2R3)n (C)其中：R1、R2及R3可彼此相同或不同，且独立地选自氢、C1-C6烷基、C3-C6环烷基、C2-C6烯基(例如，乙烯基、烯丙基等)、甲硅烷基、C3-C6烷基硅烷基、C6-C10芳基及-NR4R5，其中R4及R5各自选自H及C1-C4；以及n是0至3的整数，包括端值；(R4)nSb(E(R1R2R3))3-n (D)其中：R1、R2、R3及R4可彼此相同或不同，且独立地选自C1-C6烷基、C3-C6环烷基、C3-C6烷基硅烷基、C6-C10芳基、及化学式-NR5R6的烷氨基，其中R5及R6各自独立地选自H及C1-C4烷基；E是硅(Si)或锗(Ge)；以及n是0至3的整数，包括端值；(E)以下化学式I-XVI的锗前体：其中：R1及R2可彼此相同或不同，且独立地选自H、C1-C6烷基、C2-C5烯基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基；其中：R及R’可彼此相同或不同，且各个R及R’独立地选自H、C1-C6烷基、C2-C5烯基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基；其中：R、R’、R1及R2可彼此相同或不同，且各自独立地选自H、C1-C6烷基、C2-C5烯基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基；(R)4-nGe(NR1R2)nIV其中：R、R1及R2可彼此相同或不同，且各自独立地选自H、C1-C6烷基、C2-C5烯基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基；以及n是0至4的整数，包括端值；其中：R1、R2、R3、R4、R5及R6可彼此相同或不同，且各自独立地选自H、C1-C6烷基、C2-C5烯基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基；其中：R选自H、C1-C6烷基、及C6-C10芳基；以及x为0、1或2；其中：R1、R2、R3及R4可彼此相同或不同，且各自独立地选自H、C1-C6烷基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基；其中：R1、R2、R3、R4、及R5可彼此相同或不同，且各自独立地选自H、C1-C6烷基、甲硅烷基、-Si(R’)3、C6-C10环烷基、C6-C10芳基、-(CH2)xNR’R”、及-(CH2)xOR”’，其中x＝1、2或3，而R’、R”及R”’可彼此相同或不同，且各自独立地选自C1-C6烷基；其中：R’及R”可彼此相同或不同，且独立地选自H、C1-C6烷基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基；以及各个X独立地选自C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、-NR1R2、及-C(R3)3，其中R1、R2及R3各自独立地选自H、C1-C6烷基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R4)3，其中各个R4独立地选自C1-C6烷基；其中：R1、R2、R3及R4可彼此相同或不同，且独立地选自H、C1-C6烷基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基；其中：R1、R2、R3及R4可彼此相同或不同，且独立地选自H、C1-C6烷基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基；其中：R1、R2、R3及R4可彼此相同或不同，且独立地选自H、C1-C6烷基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基；R1TeR2XIII其中：R1及R2可彼此相同或不同，且独立地选自H、C1-C6烷基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基；R1Te(NR2R3)XIV其中：R1、R2及R3可彼此相同或不同，且独立地选自H、C1-C6烷基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基；R1Te-TeR2XV其中：R1及R2可彼此相同或不同，且独立地选自H、C1-C6烷基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基；及R1R2R3R4GeXVI其中：R1、R2、R3及R4可彼此相同或不同，且独立地选自H、C1-C6烷基、C5-C10环烷基、C6-C10芳基、及-Si(R3)3，其中各个R3独立地选自C1-C6烷基。