[发明专利]包含新型导体和介电组合物的薄膜晶体管

摘要

本发明涉及包括新型介电层和新型电极的薄膜晶体管，所述新型电极包括可通过干热转移法提供的金属组合物。

主权项

1. 一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：a)衬底；b)栅极；c)介电层；d)源极；e)漏极；和f)半导体层；其中所述栅极、源极和漏极中至少一个包含金属组合物(A)，所述组合物包含：(1)为所述金属组合物总重量的约65-约95％重量的选自以下的金属粉末：Ag、Cu及其合金；具有许多平均最长尺寸为约5nm-约1500nm的金属颗粒；和(2)约5-约35％重量的包含一种或多种选自以下的树脂的分散剂：选自聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚杂芳族亚乙烯基类及其衍生物的导电聚合物；选自丙烯酸类和苯乙烯类-丙烯酸类胶乳、基于溶液的丙烯酸类和苯乙烯类-丙烯酸类聚合物或共聚物及其组合的不导电聚合物；乙烯与一种或多种选自(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯、一氧化碳和(甲基)丙烯酸的单体的共聚物；和聚乙酸乙烯酯及其共聚物。