[发明专利]半导体设备有效
| 申请号： | 200780026907.3 | 申请日： | 2007-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101490610A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 藤川最史;细谷邦雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1339;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当在与TFT重叠的区域中提供柱状间隔物时，存在如下考虑，在使一对基板相互附连时，将施加压力，该压力可能导致TFT受到不利影响并且形成裂纹。在与TFT重叠的位置形成的柱状间隔物下面由无机材料形成伪层。该伪层位于与TFT重叠的位置，由此分散和减轻了在附连基板对的步骤中施加到TFT的压力。该伪层优选地由与像素电极相同的材料形成使得在不增加处理步骤数目的情况下形成它。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体设备，包括：具有绝缘表面的第一基板；在所述第一基板上的开关元件；电连接到所述开关元件的像素电极；在所述第一基板上的与所述开关元件重叠的伪层；配备有与所述伪层重叠的柱状间隔物的第二基板，和在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶材料，其中，所述像素电极和所述伪层由相同的材料形成。
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