[发明专利]倒平面雪崩光电二极管

摘要

公开了一种雪崩光探测器。根据本发明一方面的设备包括：半导体基底层，包括第一类型的半导体材料。所述设备还包括：倍增层，包括所述第一类型的半导体材料，邻近所述半导体基底层设置。所述设备还包括：吸收层，包括第二类型的半导体材料，邻近所述倍增层设置，使得所述倍增层设置于所述吸收层和所述半导体基底层之间。光耦接所述吸收层以接收和吸收光束。所述设备还包括：所述第一类型的半导体材料的n+掺杂区，限定在所述倍增层的与所述吸收层相反的表面处。在所述倍增层中生成高电场，以倍增响应于对在所述吸收层中接收的所述光束的所述吸收而光生的电荷载流子。

主权项

1、一种设备，包括：半导体基底层，包括第一类型的半导体材料；倍增层，邻近所述半导体基底层设置，且包括所述第一类型的半导体材料；吸收层，邻近所述倍增层设置，且包括第二类型的半导体材料，使得所述倍增层设置于所述吸收层和所述半导体基底层之间，其中，光耦接所述吸收层以接收和吸收光束；以及所述第一类型的半导体材料的n+掺杂区，限定在所述倍增层的与所述吸收层相反的表面处，其中，在所述倍增层中生成高电场，以倍增响应于对在所述吸收层中接收的所述光束的所述吸收而光生的电荷载流子。