[发明专利]生产具有改善的载流子寿命的基底的方法无效
| 申请号： | 200780027337.X | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101490315A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | G·钟;M·罗伯达 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张 钦 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在基底上沉积碳化硅材料的方法，使得所得基底具有0.5-1000微秒的载流子寿命，所述方法包括：a.将包括氯代硅烷气体、含碳气体和氢气的气体混合物引入到含有基底的反应室中；和b.将基底加热到大于1000℃但小于2000℃的温度；条件是反应室内的压力保持在0.1-760托的范围内。本发明还涉及在基底上沉积碳化硅材料的方法，使得所得基底具有0.5-1000微秒的载流子寿命，所述方法包括：a.将包括非氯化的含硅气体、氯化氢、含碳气体和氢气的气体混合物引入到含有基底的反应室中；和b.将基底加热到大于1000℃但小于2000℃的温度；条件是反应室内的压力保持在0.1-760托的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 具有 改善 载流子 寿命 基底 方法 | ||
【主权项】：
1. 在基底上沉积碳化硅涂层的方法，使得所得涂层具有0.5-1000微秒的载流子寿命，所述方法包括：a. 将包括氯代硅烷气体、含碳气体和氢气的气体混合物引入到含有基底的反应室中；b. 将基底加热到大于1000℃但小于2000℃的温度；条件是反应室内的压力保持在0.1-760托的范围内。
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