[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置以及计算机程序

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置和计算机程序。制造铜膜与其基底膜的密合性良好而且配线间的电阻小的半导体装置。将包括吸收有大气中的水分的多孔质绝缘膜(SiOC膜11)，在该绝缘膜上形成有槽(100)的基板(晶片W)载置在处理容器内。在基板上被覆由阀金属构成的第一基底膜(Ti膜13)。由从绝缘层释放出的水分，氧化与绝缘膜接触的第一膜的表面形成钝化膜(13a)。在第一基底膜的表面被覆由阀金属的氮化物或者碳化物构成的第二基底膜，利用以铜的有机化合物为原料的CVD法在第二基底膜的表面形成铜膜(15)。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在基板上已成膜的多孔质的绝缘膜的表面上，被覆由第一阀金属构成的第一基底膜的工序；在该第一基底膜的表面上，被覆由第二阀金属的氮化物或者碳化物构成的第二基底膜的工序；在气密的处理容器内，载置被覆有基底膜的所述基板的工序；和向所述处理容器中供给由铜的有机化合物构成的原料气体，在所述第二基底膜的表面上形成铜膜的工序，还具备以规定温度保持已形成有所述第一基底膜的基板，由所述第一基底膜的一部分和包含在所述绝缘膜中的水分，在所述绝缘膜与所述第一基底膜之间形成由所述第一阀金属的氧化物构成的钝化膜的工序。