[发明专利]以含贵重气体的双等离子体氮化法增进CMOS氮氧化硅栅介电层效能的方法无效
| 申请号： | 200780027568.0 | 申请日： | 2007-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101490808A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·奥尔森 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种在基材上形成一含硅氮层的方法。该层亦可能含氧并且做为氮氧化硅栅极介电层。在一态样中，形成该层的方法包括使一硅基材暴露于由氮与一贵重气体所形成的等离子体中，而将氮纳入该基材的上表面内，其中该贵重气体是氩、氖、氪或氙。退火该层，随后将该层暴露于一氮等离子体中以将更多的氮纳入该层中。接着再次退火该层。 | ||
| 搜索关键词： | 贵重 气体 等离子体 氮化 增进 cmos 氧化 硅栅介电层 效能 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在一基材上形成一含硅氮层的方法，其包含：引导一含硅基材进入一反应室中；于该反应室中使该基材暴露至一由氮与一贵重气体所形成的等离子体，以将氮纳入该基材的上表面内，且在该基材上形成一含硅氮层，其中该贵重气体选自于由氩、氖、氪和氙所构成的群组中；退火该含硅氮层；暴露该含硅氮层至一氮等离子体，以使更多的氮纳入该含硅氮层中；以及接着再次退火该含硅氮层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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