[发明专利]分薄层的具有垂直于层的平面的高自旋极化的磁性器件、使用该器件的磁性隧道结和自旋阀无效
| 申请号： | 200780027747.4 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101496120A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 贝纳德·罗德马克;贝纳德·迪耶尼 | 申请（专利权）人： | 原子能委员会;国家科学研究中心 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘士霖;高少蔚 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有薄层的磁性器件，包括在衬底之上通过阴极溅射沉积的复合组体，所述复合组体包括：磁性层(2)，由具有高垂直磁各向异性的材料制成，磁性层(2)的磁化在不存在任何电或磁的交互作用的情况下位于所述层的平面外部；磁性层(3)，与前一磁性层(2)直接接触，由具有高自旋极化率的铁磁性材料制成，磁性层(3)的磁化在不存在任何电或磁的交互作用的情况下位于磁性层(3)的平面中，磁性层(3)与所述磁性层(2)的直接磁耦合引起包括两个磁性层(2)和(3)的组体的有效退磁场的减少；以及非磁性层(4)，与前一磁性层(3)直接接触，以不会对穿过所述器件的电子去极化的材料制成。所述器件包括使得电流在基本上垂直于这些层的平面的方向上流过所述器件的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄层 具有 垂直 平面 自旋 极化 磁性 器件 使用 隧道 | ||
【主权项】：
1.一种具有薄层的磁性器件，包括在衬底之上通过阴极溅射沉积的复合组体，所述复合组体包括：-磁性层(2)，由具有高垂直磁各向异性的材料制成，磁性层(2)的磁化在不存在任何电或磁的交互作用的情况下位于所述层的平面外部，-磁性层(3)，与前一磁性层(2)直接接触，由具有高自旋极化率的铁磁性材料制成，磁性层(3)的磁化在不存在任何电或磁的交互作用的情况下位于磁性层(3)的平面中，并且磁性层(3)与所述磁性层(2)的直接磁耦合引起包括所述两个磁性层(2)和(3)的组体的有效退磁场的减少，-非磁性层(4)，与前一磁性层(3)直接接触，以不会对穿过所述器件的电子去极化的材料制成，所述器件还包括使得电流在基本上垂直于器件的层的平面的方向上流动通过器件的层的装置。
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