[发明专利]真空成膜装置以及真空成膜方法

摘要

本发明的真空成膜装置(100)具备内部能够减压的真空槽(20)、在真空槽(20)内支持基板(11)的基板托架(12)、对基板托架(12)施加偏压的偏置电源(V1)、在真空槽内，配置在银中添加铋的反射膜用的材料的材料支架(15)、以及从材料支架(15)向基板放出材料，同时在材料放出时使所述材料离子化的材料放出手段，基于偏压使离子化的材料的动能增加，以在基板上堆积材料构成的反射膜，反射膜的反射率基于偏压以及铋的添加量进行调整。

主权项

1.一种真空成膜装置，其特征在于，具备内部能够减压的真空槽、在所述真空槽内支持基板的基板托架、对所述基板托架施加规定的偏压的偏置电源、在所述真空槽内，配置在银中添加铋的反射膜用的材料的材料支架、以及从所述材料支架向所述基板放出所述材料，同时在所述材料放出时使所述材料离子化的材料放出手段，基于所述偏压使所述离子化的材料的动能增加，以在所述基板上堆积所述材料构成的反射膜，所述反射膜的反射率基于所述偏压以及所述铋的添加量进行调整。