[发明专利]制造半导体器件的方法以及用该方法制造的器件无效
| 申请号： | 200780027977.0 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101496177A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 简·桑斯基;韦伯·D·范诺尔特;罗布·范达伦 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/331;H01L29/737;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/165;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，其包括形成沟槽(22)，并且随后选择性地蚀刻埋层(14)以形成空腔。随后将绝缘体沉积在沟槽(22)的侧壁上，但并不覆盖空腔，随后空腔被用来在空腔中形成导电区域(28)。随后可以用绝缘体(40)填充沟槽(22)，在这种情况下，导电区域(28)可以形成精确定位的掺杂区域，或者用导体来填充沟槽(22)来形成与导电区域(28)的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 以及 器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：沉积第一半导体材料的多个层(12，50、54)，使得至少一个不同的第二半导体材料的埋层(14，52)散布在多个层(12，50、54)之间；形成沟槽(22，60、62)，所述沟槽至少通过多个层(12，50、54)的一些，包括至少通过一个埋层(14，52)；选择性地对第二半导体材料的埋层(14，52)的一部分进行蚀刻，以在沟槽(22，60、62)穿过埋层(14)的地方形成空腔(24，64)；在沟槽(22，60、62)的侧壁上沉积绝缘体(26，66)，使得空腔(24，64)暴露出来；以及在空腔(24，64)处形成导电区域(28，65)。
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